אינטל מציגה: אחסון מידע מהיר פי אלף יותר מ-SSD

צוואר הבקבוק העיקרי בזרימת העבודה בתוך המחשב שלנו תמיד היה הכונן הקשיח. הכונן הקשיח המגנטי הוא הרבה יותר איטי ממהירות העבודה של המעבד והזיכרון הנדיף (RAM או זג”א, זיכרון גישה אקראית) ושני האחרונים תמיד נאלצים לחכות לו. ואז בא ה-SSD, שבעצם בנוי מזכרונות שנקראים NAND, וקצת שיפר את המצב. ועדיין, אמצעי האחסון הבלתי נדיף, הכונן הקשיח – לא עומד בקצב של המעבד והזיכרון, וגורם להם, ולנו, לחכות לו.

הערב (ד’), אינטל וחברת מיקרון חשפו סוג חדש של אמצעי אחסון וזיכרון שאמור לפתור את הבעיה ולחסל את צוואר הבקבוק. הכירו את 3D Xpoint, המהירה יותר פי אלף בזמני הגישה שלה לעומת SSD.

המוצר של אינטל ומיקרון, שיגיע לשוק כבר בשנה הבאה, מבוסס על טכנולוגיה של חומר המשנה את ההתנגדות החשמלית שלו למטען. הטכנולוגיה הזו היא חלק משורה של טכנולוגיות חדשות בתחום הזיכרונות שנקראות גם “זיכרונות מגיחים”, כמו ממריסטור ו-phase change memory, שעומדות לשנות לחלוטין את הצורה שבה בנויים מחשבים, טלפונים סלולריים ומחשבי לוח, והמפתח להמשך ההתפתחות התעשייתית של ייצור זכרונות ומעבדים בעתיד.

בונים בקומות

רק כדי לסבר את העין ואת האוזן ביחס לעד כמה טכנולוגיית האחסון הזו מהירה יותר מהקיים: זמני גישה של כוננים קשיחים מגנטיים מסורתיים, נמדדים במילי שניות (אחד חלקי אלף של שניה), זמני גישה של כונני SSD נמדדים במיקרו שניות (אחד חלקי מיליון של שניה), ואילו את זמני הגישה של כונני ה-Xpoint העתידיים, ימדדו ב ננו שניות, כלומר, אחד חלקי מיליארד של שניה.

עוד חידוש הוא בניה של יחידות הזיכרון ב”קומות”, כך שעל שטח קטן יחסית, אפשר לדחוס כמות עצומה של נפח אחסון, הרבה יותר ממה שקיים כיום. הטכנולוגיה הראשונית מאחסנת 128 גיגהבייט בשתי שכבות, אבל הצפי הוא שככל הטכנולוגיה תתקדם, יהיה אפשר לאחסן מידע בשכבות נוספות, ולהגדיל את הקיבולת אף יותר.

הסידור של המידע בצורת שתי וערב, כמו לוח שחמט, מבלי לאבד מהירות גישה לכל יחידת מידע בודדת, תאפשר סמיכות עבודה הרבה יותר גבוהה למעבד ולזיכרון, ולכך יש משמעויות מרחיקות לכת.

קצת פרשנות: אמצעי אחסון מהיר שכזה, הוא שידוך נהדר לאלפי המעבדים שמצויים ועובדים במקביל במחשבי על – מה שייקח את כל התחום של מחשוב ביצועים גבוהים למקומות חדשים מבחינת יכולות העיבוד.

וזה לא הכל. יחידות כאלה, יכולות לנצל גם את מבנה השתי וערב שכבר קיים בבד, ויכולות להיות ארוגות לתוכו, תוך שימוש בצריכת זרם נמוכה, מה שהוא בעל השלכות כבירות למחשוב לביש.

על אף שאינטל טוענים כי הטכנולוגיה הנוכחית לא תחליף את טכנולוגיית ה-DRAM הקיימת של רכיבי זיכרון, הסמיכות הגבוהה של רכיבי אחסון בלתי נדיף וזיכרון נדיף, תשפיע גם על הצורה שבה יעוצבו מחשבים בשנים הקרובות.